单晶硅技术

单晶硅压力变送器是采用半导体材料和MEMS工艺制造的新型压力传感器。与传统压力传感器相比，单晶硅压力变送器具有精度高、灵敏度高、动态特性好、体积小、耐腐蚀、成本低等优点。纯单晶硅的材料疲劳小，采用这种材料制造的单晶硅压力变送器的长期稳定性好。同时，单晶硅压力变送器易于与微温度传感器集成，增加温度补偿精度，大幅提高传感器的温度特性和测量精度。如果将2个单晶硅压力变送器集成，又可以实现静压补偿，从而提高压力传感器的静压特性。由此可见，单晶硅压力变送器具有许多传统压力传感器不具备的优点，能够很好地满足石化行业对压力传感器的需求。

德国、瑞士是采用单晶硅技术的变送器的主要厂家。单晶硅电阻式压力、差压变送器其工作原理为：外界压差传递到内部的单晶硅全动态的压阻效应惠斯登电桥，惠斯顿电桥在压力的作用下产生一个跟随压力变化的电压信号输出，将这个电压信号通过电子电路收集、放大和软件补偿处理后，就得到压力信号的线性输出。
这种单晶硅电阻式传感器的输出灵敏性高、信号量大、回差极小，并且电路设计较为简洁可靠，所以国际上较多变送器制造厂商优先采用此方案进行高端变送器的研发和制造。但是较之金属电容式传感器和单晶硅谐振式传感器，单晶硅电阻芯片的应用具有较为特殊的工艺要求。主要表现在硅芯片的无应力封装技术和硅薄膜的单向过载保护技术方面。

瑞士RocksensorSàrl公司变送器的主要技术优势：

差压变送器中心传感单元采用全球领先的高精度硅传感器技术，最高可达±0.05%的铂金级精度；
膜片专利技术，最高可达±0.075%的高精度；差压变送器工作压力分为16 MPa、25 MPa和40MPa 三档，单向过载压力最高到40MPa；
 差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场工作静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能极佳，静压误差最优≤±0.05 %/10MPa；
 传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温度性能极佳，最优≤±0.04 %/10K；全不锈钢316L 硅油充灌焊接密封结构
 微量程表压/绝压变送器采用全球领先的无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压最高达7MPa，即满量程的1166 倍；稳定可靠，长期漂移为±0.1%/3 年，10 年免维护；
 极宽的测量范围100Pa～40MPa（最高可扩展至60MPa）；最高100:1 的可调节量程比；
 EMC 符合GB/T 18268.1-2008 标准要求；远传变送器采用先进的超高温专利技术，可应用于600℃超高温测量场合；
 覆盖全系列的卫生型设计技术，应用范围极宽

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